近日，863計劃先進製造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的製造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
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  通常，國際上把碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高電壓、高溫等方麵性能尤為明顯，由於第三代半導體材料的製造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控製精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的要求，長期以來製約著我國第三代半導體材料的規模化、產業化發展。
  在國家863計劃的支持下，由新疆天科合達藍光半導體有限公司牽頭，中科院物理研究所、半導體研究所、浙江大學等單位共同參與的研發團隊成功研製了滿足高壓SiC電力電子器件製造所需的4-6英寸SiC單晶生長爐關鍵裝備，形成了我國具有自主知識產權的4-6英寸SiC單晶生長爐關鍵裝備體係。所研製的4-6英寸通用型SiC單晶爐，實現了“零微管”(微管密度<1個/cm2)4英寸SiC單晶襯底和低缺陷密度的6英寸SiC單晶襯底的製備技術，掌握了相關外延工藝技術，生長出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片，並製備了1200V、1700V、3300V、8000V碳化矽二極管係列產品。已在市場上批量推廣使用。
  滿足高壓電力電子器件製造所需的4-6英寸通用型SiC單晶生長爐及其配套生長工藝的成功研發，有效促進了碳化矽襯底、外延、器件等製造技術的進步，提高了國內碳化矽產業鏈的整體設計能力和製造水平，對推動第三代半導體材料、器件產業發展，降低產業鏈成本，提升我國寬禁帶半導體產業的核心國際競爭力具有重要的現實意義。